AS4C32M16D1-5BIN - IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller Teilenummer

AS4C32M16D1-5BIN

Interne Teilenummer

ABC-AS4C32M16D1-5BIN

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

205280 Pieces

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Technische Daten für AS4C32M16D1-5BIN

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : AS4C32M16D1-5BIN

Hersteller : Alliance Memory, Inc.

Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR

Speichergröße : 512Mb (32M x 16)

Taktfrequenz : 200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : 700ps

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 60-TFBGA

Supplier Device Package : 60-TFBGA (8x13)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : AS4C3 , AS4C32M1

Dokumente für AS4C32M16D1-5BIN

Datenblätter : AS4C32M16D1-5BIN.pdf

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