CSD87312Q3E - MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Hersteller Teilenummer

CSD87312Q3E

Interne Teilenummer

ABC-CSD87312Q3E

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für CSD87312Q3E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD87312Q3E

Hersteller : T-I

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Serie : NexFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 7A , 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 15V

Leistung max : 2.5W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Supplier Device Package : 8-VSON (3.3x3.3)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für CSD87312Q3E

Datenblätter : CSD87312Q3E.pdf

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