VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Hersteller Teilenummer

VS-GB100TH120N

Interne Teilenummer

ABC-VS-GB100TH120N

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

59181 Pieces

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Technische Daten für VS-GB100TH120N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : VS-GB100TH120N

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : -

Aufbau : Half Bridge

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 200A

Leistung max : 833W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 8.58nF @ 25V

Eingang : Standard

NTC-Thermistor : No

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 4)

Supplier Device Package : Double INT-A-PAK

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : VS-G , VS-GB10

Dokumente für VS-GB100TH120N

Datenblätter : VS-GB100TH120N.pdf

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