MURTA20060R - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-MURTA20060R
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
45543 Pieces
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Technische Daten für MURTA20060R
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MURTA20060R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 100A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für MURTA20060R
Datenblätter : MURTA20060R.pdf
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