PMGD8000LN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Hersteller Teilenummer

PMGD8000LN,115

Interne Teilenummer

ABC-PMGD8000LN,115

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PMGD8000LN,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMGD8000LN,115

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 125mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.35nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 5V

Leistung max : 200mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package : 6-TSSOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PMGD , PMGD800

Dokumente für PMGD8000LN,115

Datenblätter : PMGD8000LN,115.pdf

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