TK12E80W,S1X - MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Hersteller Teilenummer

TK12E80W,S1X

Interne Teilenummer

ABC-TK12E80W,S1X

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

226704 Pieces

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Technische Daten für TK12E80W,S1X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK12E80W,S1X

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 570µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 165W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TK12E80W,S1X.pdf

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