SQS966ENW-T1_GE3 - MOSFET N-CHAN 60V

Hersteller Teilenummer

SQS966ENW-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQS966ENW-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 60V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1529402 Pieces

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Technische Daten für SQS966ENW-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQS966ENW-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 60V

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 572pF @ 25V

Leistung max : 27.8W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8W

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8W

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQS96 , SQS966EN

Dokumente für SQS966ENW-T1_GE3

Datenblätter : SQS966ENW-T1_GE3.pdf

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