TSM2N100CH C5G - MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Hersteller Teilenummer

TSM2N100CH C5G

Interne Teilenummer

ABC-TSM2N100CH C5G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TSM2N100CH C5G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TSM2N100CH C5G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 625pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 77W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-251 (IPAK)

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TSM2N100CH C5G

Datenblätter : TSM2N100CH C5G.pdf

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