DMN2022UNS-7 - MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Hersteller Teilenummer

DMN2022UNS-7

Interne Teilenummer

ABC-DMN2022UNS-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2431380 Pieces

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Technische Daten für DMN2022UNS-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2022UNS-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1870pF @ 10V

Leistung max : 1.2W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Supplier Device Package : PowerDI3333-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN202

Dokumente für DMN2022UNS-7

Datenblätter : DMN2022UNS-7.pdf

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