APT25GP120BDQ1G - IGBT 1200V 69A 417W TO247

Hersteller Teilenummer

APT25GP120BDQ1G

Interne Teilenummer

ABC-APT25GP120BDQ1G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

IGBT 1200V 69A 417W TO247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

61470 Pieces

Referenzpreis

~~USD 6.845~~

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Technische Daten für APT25GP120BDQ1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APT25GP120BDQ1G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : IGBT 1200V 69A 417W TO247

Serie : POWER MOS 7®

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : PT

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 69A

Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 90A

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 25A

Leistung max : 417W

Energie wechseln : 500µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp : Standard

Gate Charge : 110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C : 12ns/70ns

Testbedingung : 600V, 25A, 5 Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr) : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-247-3

Supplier Device Package : TO-247 [B]

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APT25 , APT25GP

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Datenblätter : APT25GP120BDQ1G.pdf

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