NP109N055PUJ-E1B-AY - MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

Hersteller Teilenummer

NP109N055PUJ-E1B-AY

Interne Teilenummer

ABC-NP109N055PUJ-E1B-AY

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für NP109N055PUJ-E1B-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NP109N055PUJ-E1B-AY

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10350pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 220W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NP109N055PUJ-E1B-AY

Datenblätter : NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf

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