IS42S32400E-6BLI - IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller Teilenummer

IS42S32400E-6BLI

Interne Teilenummer

ABC-IS42S32400E-6BLI

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Kurze Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

60498 Pieces

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Technische Daten für IS42S32400E-6BLI

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IS42S32400E-6BLI

Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM

Speichergröße : 128Mb (4M x 32)

Taktfrequenz : 166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : 5.4ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 90-TFBGA

Supplier Device Package : 90-TFBGA (8x13)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IS42S32400E-6BLI

Datenblätter : IS42S32400E-6BLI.pdf

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