SISS30DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Hersteller Teilenummer

SISS30DN-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SISS30DN-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1209614 Pieces

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Technische Daten für SISS30DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SISS30DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1666pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 4.8W (Ta), 57W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8S

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8S

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SISS3 , SISS30D

Dokumente für SISS30DN-T1-GE3

Datenblätter : SISS30DN-T1-GE3.pdf

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