RDD020N60TL - MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Hersteller Teilenummer

RDD020N60TL

Interne Teilenummer

ABC-RDD020N60TL

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1198988 Pieces

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Technische Daten für RDD020N60TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RDD020N60TL

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : CPT3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RDD020N60TL

Datenblätter : RDD020N60TL.pdf

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