STL18NM60N - MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Hersteller Teilenummer

STL18NM60N

Interne Teilenummer

ABC-STL18NM60N

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

329014 Pieces

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Technische Daten für STL18NM60N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STL18NM60N

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Serie : MDmesh™ II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.1A (Ta), 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerFlat™ (8x8) HV

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STL18NM60N

Datenblätter : STL18NM60N.pdf

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