TSM80N1R2CP ROG - MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

Hersteller Teilenummer

TSM80N1R2CP ROG

Interne Teilenummer

ABC-TSM80N1R2CP ROG

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

797685 Pieces

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Technische Daten für TSM80N1R2CP ROG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TSM80N1R2CP ROG

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 685pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TSM80 , TSM80N1

Dokumente für TSM80N1R2CP ROG

Datenblätter : TSM80N1R2CP ROG.pdf

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