CSD19536KTTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Hersteller Teilenummer

CSD19536KTTT

Interne Teilenummer

ABC-CSD19536KTTT

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

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170752 Pieces

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Technische Daten für CSD19536KTTT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD19536KTTT

Hersteller : T-I

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Serie : NexFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DDPAK/TO-263-3

Paket / fall : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für CSD19536KTTT

Datenblätter : CSD19536KTTT.pdf

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