IXT-1-1N100S1-TR - MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

IXT-1-1N100S1-TR

Interne Teilenummer

ABC-IXT-1-1N100S1-TR

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für IXT-1-1N100S1-TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXT-1-1N100S1-TR

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : -

Supplier Device Package : -

Paket / fall : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXT-1 , IXT-1-1N

Dokumente für IXT-1-1N100S1-TR

Datenblätter : IXT-1-1N100S1-TR.pdf

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