RW1E025RPT2CR - MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Hersteller Teilenummer

RW1E025RPT2CR

Interne Teilenummer

ABC-RW1E025RPT2CR

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8458002 Pieces

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Technische Daten für RW1E025RPT2CR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RW1E025RPT2CR

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-WEMT

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : RW1E025RPT2CR.pdf

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