APTMC120AM55CT1AG - MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
RoHS-Status
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Technische Daten für APTMC120AM55CT1AG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTMC120AM55CT1AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V
Leistung max : 250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTMC120AM55CT1AG
Datenblätter : APTMC120AM55CT1AG.pdf
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