2SK3309(Q) - MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Hersteller Teilenummer

2SK3309(Q)

Interne Teilenummer

ABC-2SK3309(Q)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

43554 Pieces

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Technische Daten für 2SK3309(Q)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SK3309(Q)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 450V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 65W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220FL

Paket / fall : TO-220-3, Short Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : 2SK3309(Q).pdf

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