FDD3670 - MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK

Hersteller Teilenummer

FDD3670

Interne Teilenummer

ABC-FDD3670

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

549192 Pieces

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Technische Daten für FDD3670

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDD3670

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 34A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2490pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDD3670.pdf

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