SQD40030E_GE3 - MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Hersteller Teilenummer

SQD40030E_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQD40030E_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

847770 Pieces

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Technische Daten für SQD40030E_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQD40030E_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252AA

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQD4 , SQD400

Dokumente für SQD40030E_GE3

Datenblätter : SQD40030E_GE3.pdf

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