2N5416UA/TR - POWER BJT

Hersteller Teilenummer

2N5416UA/TR

Interne Teilenummer

ABC-2N5416UA/TR

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

POWER BJT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

89406 Pieces

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Technische Daten für 2N5416UA/TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2N5416UA/TR

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : POWER BJT

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : PNP

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 1A

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 300V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 2V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 30 @ 50mA, 10V

Leistung max : -

Frequenz - Übergang : -

Betriebstemperatur : -65°C ~ 200°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 4-SMD, No Lead

Supplier Device Package : UA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 2N5 , 2N541

Dokumente für 2N5416UA/TR

Datenblätter : 2N5416UA/TR.pdf

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