ZXMHC6A07N8TC - MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

ZXMHC6A07N8TC

Interne Teilenummer

ABC-ZXMHC6A07N8TC

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1254106 Pieces

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Technische Daten für ZXMHC6A07N8TC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMHC6A07N8TC

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.39A, 1.28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 166pF @ 40V

Leistung max : 870mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXMH , ZXMHC6

Dokumente für ZXMHC6A07N8TC

Datenblätter : ZXMHC6A07N8TC.pdf

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