APTM120U10SCAVG - MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Hersteller Teilenummer

APTM120U10SCAVG

Interne Teilenummer

ABC-APTM120U10SCAVG

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

106856 Pieces

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Technische Daten für APTM120U10SCAVG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTM120U10SCAVG

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Serie : POWER MOS 7®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 116A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 20mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 28900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3290W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SP6

Paket / fall : SP6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : APTM120U10SCAVG.pdf

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