APTM100A13DG - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-APTM100A13DG
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM100A13DG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM100A13DG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 562nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15200pF @ 25V
Leistung max : 1250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM100A13DG
Datenblätter : APTM100A13DG.pdf
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