EPC2012 - GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Hersteller Teilenummer

EPC2012

Interne Teilenummer

ABC-EPC2012

Hersteller

EPC

Kurze Beschreibung

GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

40288 Pieces

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Technische Daten für EPC2012

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EPC2012

Hersteller : EPC

Beschreibung : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Teilestatus : Discontinued at Digi-Key

FET-Typ : N-Channel

Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 125°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : Die

Paket / fall : Die

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : EPC2012.pdf

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