SI3590DV-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Hersteller Teilenummer

SI3590DV-T1-E3

Interne Teilenummer

ABC-SI3590DV-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2413894 Pieces

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Technische Daten für SI3590DV-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI3590DV-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 830mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Supplier Device Package : 6-TSOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI35 , SI3590D

Dokumente für SI3590DV-T1-E3

Datenblätter : SI3590DV-T1-E3.pdf

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