FCPF11N65 - MOSFET N-CH 650V 11A

Hersteller Teilenummer

FCPF11N65

Interne Teilenummer

ABC-FCPF11N65

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 11A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

81184 Pieces

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Technische Daten für FCPF11N65

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCPF11N65

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 11A

Serie : SuperFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220F

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FCPF11N65

Datenblätter : FCPF11N65.pdf

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