BSC019N06NSATMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller Teilenummer

BSC019N06NSATMA1

Interne Teilenummer

ABC-BSC019N06NSATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

DIFFERENTIATED MOSFETS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

571487 Pieces

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Technische Daten für BSC019N06NSATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSC019N06NSATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : DIFFERENTIATED MOSFETS

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 74µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5.25nF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 136W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TDSON-8 FL

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSC01 , BSC019N0

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Datenblätter : BSC019N06NSATMA1.pdf

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