SQS460ENW-T1_GE3 - MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

Hersteller Teilenummer

SQS460ENW-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQS460ENW-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1535289 Pieces

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Technische Daten für SQS460ENW-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQS460ENW-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

Serie : *

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 39W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8W

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8W

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQS46 , SQS460EN

Dokumente für SQS460ENW-T1_GE3

Datenblätter : SQS460ENW-T1_GE3.pdf

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