SI4599DY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

SI4599DY-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI4599DY-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI4599DY-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4599DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.8A, 5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 20V

Leistung max : 3W, 3.1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI459 , SI4599D

Dokumente für SI4599DY-T1-GE3

Datenblätter : SI4599DY-T1-GE3.pdf

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