CSD25304W1015 - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Hersteller Teilenummer

CSD25304W1015

Interne Teilenummer

ABC-CSD25304W1015

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für CSD25304W1015

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD25304W1015

Hersteller : T-I

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Serie : NexFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.15V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 595pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-DSBGA

Paket / fall : 6-UFBGA, DSBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : CSD25304W1015.pdf

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