DMN2023UCB4-7 - MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Hersteller Teilenummer

DMN2023UCB4-7

Interne Teilenummer

ABC-DMN2023UCB4-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2337867 Pieces

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Technische Daten für DMN2023UCB4-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2023UCB4-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3333pF @ 10V

Leistung max : 1.45W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 4-XFBGA, WLBGA

Supplier Device Package : X1-WLB1818-4

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN202

Dokumente für DMN2023UCB4-7

Datenblätter : DMN2023UCB4-7.pdf

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