SPN02N60C3 E6433 - MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

Hersteller Teilenummer

SPN02N60C3 E6433

Interne Teilenummer

ABC-SPN02N60C3 E6433

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SPN02N60C3 E6433

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SPN02N60C3 E6433

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 400mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 80µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-SOT223-4

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SPN02N60C3 E6433

Datenblätter : SPN02N60C3 E6433.pdf

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