SI4966DY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Hersteller Teilenummer

SI4966DY-T1-E3

Interne Teilenummer

ABC-SI4966DY-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52455 Pieces

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Technische Daten für SI4966DY-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4966DY-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI49 , SI4966D

Dokumente für SI4966DY-T1-E3

Datenblätter : SI4966DY-T1-E3.pdf

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