FDG311N - MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Hersteller Teilenummer

FDG311N

Interne Teilenummer

ABC-FDG311N

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDG311N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDG311N

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDG311N.pdf

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