HS1JL R3G - DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller Teilenummer

HS1JL R3G

Interne Teilenummer

ABC-HS1JL R3G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

7717192 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.042415~~

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Technische Daten für HS1JL R3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HS1JL R3G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 75ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-219AB

Supplier Device Package : Sub SMA

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für HS1JL R3G

Datenblätter : HS1JL R3G.pdf

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