VS-GB90SA120U - TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

Hersteller Teilenummer

VS-GB90SA120U

Interne Teilenummer

ABC-VS-GB90SA120U

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

45152 Pieces

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Technische Daten für VS-GB90SA120U

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : VS-GB90SA120U

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : NPT

Aufbau : Single

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 149A

Leistung max : 862W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : -

Eingang : Standard

NTC-Thermistor : No

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SOT-227-4

Supplier Device Package : SOT-227

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : VS-G , VS-GB9

Dokumente für VS-GB90SA120U

Datenblätter : VS-GB90SA120U.pdf

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