IXFN21N100Q - MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Hersteller Teilenummer

IXFN21N100Q

Interne Teilenummer

ABC-IXFN21N100Q

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

48308 Pieces

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Technische Daten für IXFN21N100Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFN21N100Q

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 520W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SOT-227B

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFN21N100Q

Datenblätter : IXFN21N100Q.pdf

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