HUF76609D3ST - MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Hersteller Teilenummer

HUF76609D3ST

Interne Teilenummer

ABC-HUF76609D3ST

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1579669 Pieces

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Technische Daten für HUF76609D3ST

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HUF76609D3ST

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Serie : UltraFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 425pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 49W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252AA

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : HUF76609D3ST.pdf

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