PHD38N02LT,118 - MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

Hersteller Teilenummer

PHD38N02LT,118

Interne Teilenummer

ABC-PHD38N02LT,118

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für PHD38N02LT,118

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHD38N02LT,118

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 44.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.1nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 57.6W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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