SI1404BDH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Hersteller Teilenummer

SI1404BDH-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI1404BDH-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SI1404BDH-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI1404BDH-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI140 , SI1404BD

Dokumente für SI1404BDH-T1-GE3

Datenblätter : SI1404BDH-T1-GE3.pdf

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