SSM6H19NU,LF - MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Hersteller Teilenummer

SSM6H19NU,LF

Interne Teilenummer

ABC-SSM6H19NU,LF

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6504218 Pieces

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Technische Daten für SSM6H19NU,LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SSM6H19NU,LF

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Serie : U-MOSVII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 4.2V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-UDFN (2x2)

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SSM6H19NU,LF.pdf

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