SIB914DK-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Hersteller Teilenummer

SIB914DK-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIB914DK-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIB914DK-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIB914DK-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 125pF @ 4V

Leistung max : 3.1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SIB914DK-T1-GE3.pdf

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