HS3M M6G - DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller Teilenummer

HS3M M6G

Interne Teilenummer

ABC-HS3M M6G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 3A DO214AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6812169 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.04805~~

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Technische Daten für HS3M M6G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HS3M M6G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : -

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 75ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AB, SMC

Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : HS , HS3M

Dokumente für HS3M M6G

Datenblätter : HS3M M6G.pdf

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