TP65H050WS - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Hersteller Teilenummer

TP65H050WS

Interne Teilenummer

ABC-TP65H050WS

Hersteller

Transphorm

Kurze Beschreibung

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

75075 Pieces

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Technische Daten für TP65H050WS

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TP65H050WS

Hersteller : Transphorm

Beschreibung : GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 700µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 119W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247-3

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TP65H050WS

Datenblätter : TP65H050WS.pdf

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