IPP65R190E6XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Hersteller Teilenummer

IPP65R190E6XKSA1

Interne Teilenummer

ABC-IPP65R190E6XKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

213760 Pieces

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Technische Daten für IPP65R190E6XKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPP65R190E6XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 730µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1620pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 151W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPP65R190E6XKSA1

Datenblätter : IPP65R190E6XKSA1.pdf

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