APTM100H35FT3G - MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller Teilenummer

APTM100H35FT3G

Interne Teilenummer

ABC-APTM100H35FT3G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

47634 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für APTM100H35FT3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTM100H35FT3G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V

Leistung max : 390W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP3

Supplier Device Package : SP3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTM , APTM100

Dokumente für APTM100H35FT3G

Datenblätter : APTM100H35FT3G.pdf

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